[发明专利]一种压接式晶闸管管芯及制作方法在审
| 申请号： | 202110388560.9 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113223960A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王民安;王日新;汪杏娟;郑春鸣;黄永辉;王志亮 | 申请（专利权）人： | 黄山芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/50;H01L21/60;H01L29/06;H01L23/488;H01L29/74;B07C5/34 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 杨大庆 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种压接式晶闸管管芯及制作方法，包括以下步骤：1)制备晶闸管扩散片，2)腐蚀电压槽，3)电压槽淀积多晶硅膜或氮化硅膜，4)电压槽玻璃钝化，5)刻蚀去除不需要多晶硅膜或氮化硅保护的大部分阴极面和阳极面区域的钝化膜，6)芯片与钼片的焊接，7)阴极面蒸铝，8)阴极面铝层选择腐蚀，9)铝层微合金。进一步10)管芯阳极面钼片单面多层金属化，11)电压槽涂覆第三保护层。焊接前对芯片测试，剔除掉不合格芯片，避免了钼片等浪费，不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护，降低管芯在高温动态下测试的漏电流；钼片钛镍银多层金属保护防止氧化，降低了热阻和电阻，减少功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 晶闸管 管芯 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
