[发明专利]光电二极管的击穿电压测试有效
| 申请号： | 202110388922.4 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113189466B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 王陈銮;向少卿 | 申请（专利权）人： | 上海禾赛科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 郝文博 |
| 地址： | 201821 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种能够测试光电二极管的击穿电压的模拟前端电路、一种测试光电二极管的击穿电压的方法以及一种用于激光雷达的接收电路。根据本公开，在控制器的控制下，通过电压型DAC调节光电二极管的阳极处的电压，和/或通过调节光电二极管的阴极处的供电电压，来独立地调节各个通道的光电二极管的反向偏置电压，从而可以完成对光电二极管的击穿电压的测试，并且能够将光电二极管调节到最佳工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 击穿 电压 测试 | ||
【主权项】：
暂无信息
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