[发明专利]一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110389130.9 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113104804A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 申请(专利权)人: 上海芯物科技有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00;H01L35/04;H01L35/28;H01L35/34
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法,红外热电堆传感器包括多个红外热电堆像素,红外热电堆像素包括衬底。衬底包括第一区域和第二区域。位于衬底一侧且位于第一区域的第一悬空膜以及位于衬底一侧且位于第二区域的第二悬空膜。位于第一悬空膜远离衬底一侧的N型热电堆、P型热电堆和开关电路。开关电路位于N型热电堆和P型热电堆之间。位于第二悬空膜远离衬底一侧的悬臂梁和开关信号导出结构,开关信号导出结构与开关电路电连接。通过将开关电路设置在N型热电堆和P型热电堆之间,有利于减少红外热电堆传感器的面积,提高红外热电堆传感器的填充因子,进而提升其灵敏度,降低制造成本,实现小型化。
搜索关键词: 一种 红外 热电 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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