[发明专利]一种高压尖峰泄放电路在审
| 申请号： | 202110389288.6 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN112865058A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 胡枭;赵智超;严培青 | 申请（专利权）人： | 上海传泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海怡恩专利代理事务所(普通合伙) 31336 | 代理人： | 潘青青 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高压尖峰泄放电路，包括稳压模块、尖峰电压检测模块、泄放MOS保护模块和尖峰电压泄放MOS管模块；所述尖峰电压检测模块包括一个PMOS管和两个电阻；所述泄放MOS保护电路包括N(N0)个NMOS管；所述的尖峰电压泄放MOS管模块包括一个NMOS管。本发明通过对输入电压的检测和对泄放MOS管的控制，解决了输入电压产生高压尖峰时，泄放速度慢和尖峰电压泄放后电压值大导致的内部电路烧毁问题，提高了电路可靠性。本发明中尖峰电压检测模块使用的PMOS管为工艺自带的PM1场效应管，减少了制版层次，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 尖峰 电路 | ||
【主权项】：
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