[发明专利]多晶硅薄膜衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202110389647.8 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113161229A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;戴荣旺;薛忠营;刘赟;魏涛;栗展;李名浩;刘文凯 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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