[发明专利]结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用；所述探测器由下至上依次包括：Si衬底、AlN/AlGaN/GaN缓冲层、u‑GaN/AlN/u‑GaN/SiNx/u‑GaN缓冲层、n‑GaN缓冲层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层；多量子阱层具有凹槽结构，多量子阱层的台面及凹槽有Si3N4钝化层，所述钝化层的凹槽内有第一金属层电极，其截面为半圆形，所述钝化层的台面有第二金属层电极。此制备方法工艺简单、省时高效。本发明将钝化层与嵌入电极结构结合使用可大幅提升器件性能，器件具有外量子效率高、响应度高、暗电流低等优点。