[发明专利]一种大尺寸高电阻率钽酸镓镧晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110390389.5 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113106547B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 沈丽明;王帅;暴宁钟;燕克兰 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B11/00;C30B33/02
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 徐芝强;肖明芳
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种大尺寸高电阻率钽酸镓镧晶体的制备方法,将La2O3、Ga2O3、Ta2O5、Al2O3粉体,按照通式La3Ta0.5Ga5.5‑xAlxO14中的摩尔比进行配料,其中,0≤x≤1.0;经过混料,压料和烧结制得到多晶原料;将钽酸镓镧籽晶与得到的多晶原料放入坩锅中密封,再将坩锅放入下降炉设备中,升温熔化籽晶顶部和原料,通过下降法生长钽酸镓镧晶体;最后将生长的钽酸镓镧晶体通过定向、切割、研磨、抛光得到晶片;将晶片放入气氛炉中进行退火处理,即得。本发明采用下降法生长钽酸镓镧晶体,有效避免了提拉法生长大量Ga2O3挥发带来的组分偏析,包裹体等问题。同时通过后期优化气氛,选用高温退火的方式对钽酸镓镧晶体进行后期退火处理,来调控晶体内部缺陷浓度,进一步提高了电阻率。
搜索关键词: 一种 尺寸 电阻率 钽酸镓镧 晶体 制备 方法
【主权项】:
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