[发明专利]一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法有效
| 申请号： | 202110390892.0 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113088902B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张晋敏;潘王衡;谢泉;肖清泉;王勤;冯磊;谢杰 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 刘宇宸 |
| 地址： | 550000 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原料 氧化 情况 制备 单一 相高锰硅 薄膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110390892.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
