[发明专利]宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法有效
| 申请号： | 202110392314.0 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113140620B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;姚佳佳;李蓝星;杨雪妍;孙志鹏;刘芳;吴冠霖;张赫朋;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法，主要解决现有氮化镓异质结材料极化强度和二维电子气浓度低、外延生长工艺复杂和控制难度大的问题。其材料结构，自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、GaN沟道层(3)、AlN插入层(4)、势垒层(5)和帽层(6)，其中势垒层采用P组分为30％‑40％、厚度为10nm‑30nm的BP |
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| 搜索关键词： | 宽禁带 半导体 bpn gan 异质结 材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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