[发明专利]光电器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202110392494.2 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113161499B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 狄大卫;徐宠恩;田顺;连亚霄;赵保丹 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 上海佰特专利代理事务所(普通合伙) 31464 代理人: 张彦敏
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及光电器件,涉及半导体器件,光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米,包括:半导体衬底,其第一部分区域上形成有第一传输层,位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层,并在第一层绝缘层上形成有第一传输层;第一传输层上形成有一层界面层;界面层上形成有一层包含钙钛矿材料的发光材料层;第二部分区域内的发光材料层上及第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层上形成有第二层绝缘层,以实现单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸可调,且其制备成本低、工艺复杂度低、器件光谱纯度高,可有效解决小型与微型光电器件外量子效率低、亮度低和漏电流大的问题。
搜索关键词: 光电 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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