[发明专利]一种射频芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202110393176.8 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130478A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;朱庆芳 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822;H01L21/8222;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王文宾 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种射频芯片及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括在衬底上通过外延生长依次形成场效应晶体管外延层结构和双极晶体管外延层结构，刻蚀双极晶体管外延层结构以分别在电感器区域和场效应晶体管区域露出场效应晶体管外延层结构；在场效应晶体管区域形成场效应晶体管器件结构；在双极晶体管区域形成双极晶体管器件结构；对电感器区域的场效应晶体管外延层结构通过离子注入形成第一绝缘区；在第一绝缘区上形成电感器结构。便可以实现在同一衬底上依序制作出场效应晶体管器件结构、双极晶体管器件结构和电感器结构，可以有效的降低前端模块的占用体积，提高前端模块的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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