[发明专利]异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质在审
| 申请号： | 202110393708.8 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN112992220A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 尚军辉;李卓文;庄腾飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇春科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/408;G11C7/22;G06F5/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质。可使得异步RAM在不同读写频率下可以保证：在0≤所述当前时刻的写地址‑所述当前时刻的读地址＜第一阈值，且异步RAM的写满标记表示未写满的情况下，暂停异步RAM的读操作(即保证读指针Rdr位置不变)，保持异步RAM的写操作正常(即写指针Wdr正常移动)，保证数据正常写入数据为空的地址中，并拉大写指针Wdr和读指针Rdr之间的距离，避免出现读写冲突，进而使得异步RAM可以稳定读写数据，从而保证存储过程的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 异步 ram 读写 方法 装置 终端设备 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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