[发明专利]一种大可逆磁致应变NiCoMnSn合金的制备方法有效
| 申请号： | 202110393878.6 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113088850B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 高智勇;孙思博;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22F3/00 | 分类号： | C22F3/00;C22C30/04;C22F1/00;C21D1/26;C21D1/30;C21D1/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵琪 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大可逆磁致应变NiCoMnSn合金的制备方法，属于变磁性形状记忆合金技术领域。本发明对NiCoMnSn合金进行电子辐照改性，得到所述大可逆磁致应变NiCoMnSn合金。本发明提供的制备方法对NiCoMnSn合金采用电子辐射改性，对NiCoMnSn合金的表面进行辐照，引起空位的产生；由于磁交换相互作用对Mn‑Mn距离的强烈依赖性，这种晶格收缩将导致Mn‑Mn距离的减少，使得相变前后两相(母相奥氏体和马氏体相)间的磁化强度差(△M)增加，同时3d轨道杂化的增强，导致磁场对母相和马氏体界面移动的驱动力增加，这一变化有利于在较低场下获得大的磁感生应变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可逆 应变 nicomnsn 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
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