[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202110394034.3 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113539912A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 森拓也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;G03F7/20;G03F7/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方面的基片处理装置包括:对基片实施规定的处理的处理单元;输送单元,其具有保持基片的保持部,通过使保持着基片的保持部位移来对处理单元进行基片的送入送出;和基片检查单元,其在处理单元的外部,获取表示保持部所保持的基片的表面状态的信息。根据本发明,能够兼顾处理结果的可靠性提高和生产率。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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