[发明专利]一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法有效
| 申请号： | 202110394337.5 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257697B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 背面 晶胞 大小 确认 腐蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司，未经上海中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110394337.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
