[发明专利]基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法有效
| 申请号： | 202110394727.2 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130637B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 张跃;于慧慧;张铮;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/267;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 张雪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 二维 范德华双极型 晶体管 及其 构筑 方法 | ||
【主权项】：
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