[发明专利]一种压力传感器芯片的制造工艺有效
| 申请号： | 202110397707.0 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113074845B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 费友健;贾永平 | 申请（专利权）人： | 江西新力传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器芯片的制造工艺，该工艺包括：提供衬底和第一支座；通过离子注入掺杂工艺在衬底上表面制作压阻电路；通过化学气相沉积方法在压阻电路上沉积一层第一绝缘介质层；在第一支座下表面刻蚀形成对应于真空腔的凹槽；将第一支座下表面与衬底上表面进行对准键合；其中还包括：制作调制电路，使调制电路连接压阻电路；制作输出电极，使输出电极一端连接调制电路、另一端设于芯片外部。本发明通过将用于感应压力信号的压阻电路和用于对压力信号进行调制的调制电路通过特定方式集成到同一芯片当中，该芯片同时具有MEMS芯片与调制芯片的功能，这样压力传感器就可以只需布置一个芯片，可以进一步缩小传感器的尺寸和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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