[发明专利]内含调制掺杂局域电场的半导体红外探测器及其调控方法有效
申请号: | 202110397983.7 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113130682B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 郝智彪;赵若晨;汪莱;罗毅 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/108 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 鄢功军 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种内含调制掺杂局域电场的半导体红外探测器及其调控方法,上述探测器包括:衬底;以及自下而上依次形成于上述衬底之上的下电极层、多量子阱有源层和上电极层。上述多量子阱有源层包括多个交替层叠的势垒层和势阱层,其中至少一个势垒层和/或势阱层为调制掺杂层,从而形成用于调控电子能态的局域电场。通过在多量子阱有源层中引入调制掺杂层,基于调制掺杂层的引入能够在空间上使得空穴或电子载流子与负离子实、正离子实对应分离,从而在量子阱中形成较强的局域电场,进而基于该局域电场实现量子阱中电子能态的调控,以提高量子阱中光生电子的抽取效率,从而提高红外探测器的整体效率。 | ||
搜索关键词: | 内含 调制 掺杂 局域 电场 半导体 红外探测器 及其 调控 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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