[发明专利]能够提高成像质量的光刻图像获得方法有效

专利信息
申请号: 202110399779.9 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113311669B 公开(公告)日: 2023-02-10
发明(设计)人: 王英志;王酌;宫玉琳;胡俊;盖春宇;张银银;石智源;陈怡嘉;孙天奇 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G06N3/006
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 曲博
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 能够提高成像质量的光刻图像获得方法属于半导体硅片光刻技术领域。本发明首先根据环形照明内部、外部相干因子σin、σout与成像畸变之间的关系,运用粒子群算法确定能够使成像畸变达到最小的σin和σout,减轻光刻图像的成像畸变;其次,将初始二进制掩模图形通过光刻成像模型得到空间像,根据空间像的光强分布,确定光强对比度γ,划定光强偏高、偏低的部分,修改初始二进制掩模图形,减轻光刻图像中的成像断裂;最后,利用梯度算法优化修改后的初始二进制掩模图形,得到实值掩模图形,再将该实值掩模图形转换为二进制掩模图形,将该二进制掩模图形作为最终的初始二进制掩模图形进行光刻成像,得到最终的光刻图像,成像畸变、成像断裂同时得到进一步减轻。
搜索关键词: 能够 提高 成像 质量 光刻 图像 获得 方法
【主权项】:
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