[发明专利]一种苯并噻二唑并二吡咯并二噻吩基界面材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202110400033.5 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113150011A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 邵将洋;王宇端;汪洋;钟羽武 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C07D513/22 分类号: C07D513/22;H01L51/48;H01L51/46
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种苯并噻二唑并二吡咯并二噻吩基界面材料及其制备方法与应用。本发明化合物,其结构式如式I所示:式I中,R1为C3~C12的烷基链,R2为甲氧基或甲硫基。本发明式I所示化合物的制备方法如下:将不同侧链取代的溴化DTPBT与硼酸衍生物溶于有机溶剂中,依次加入碱和钯催化剂,氮气条件下进行Suzuki反应,即得到式I所示化合物。本发明式I所示化合物应用于制备钙钛矿太阳能电池中界面层中。本发明式I所示化合物在钙钛矿太阳能电池制备的常用溶剂中均有较好的溶解性;具有良好的空穴传输性能以及电子阻挡性能,利于空穴的有效的选择性传输;能够实现钙钛矿表面缺陷的钝化,并抑制其杂质相的生成,有利于提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。
搜索关键词: 一种 噻二唑 吡咯 噻吩 界面 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
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