[发明专利]一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法在审
| 申请号： | 202110400628.0 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113257661A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨守闯;黄春峰;王楷 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升8寸磨洗FO槽漂洗效果的方法，其方法包括以下步骤：S1、首先保证磨片、酸腐、腐后清洗为正常操作，仅对磨片清洗过程改动进行验证，减少其他因素影响，原磨片清洗机4#槽为抛动、超声溢流槽，研磨片进入4#槽时，超声开启，超声波在纯水中疏密相见地向前辐射，并不停的产生微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长,而在正压区迅速闭合，这种微小气泡的形成、生成迅速闭合称为空化现象，在空化作用下，气泡不停轰炸硅片表面，使硅片表面与损伤层的污垢析出：S2、然后在4#槽内增加压缩空气鼓泡装置，硅片放入漂洗槽，超声一段时间后，表面附着一层沾污，压缩空气形成的气泡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 磨洗 fo 漂洗 效果 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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