[发明专利]二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用有效
| 申请号： | 202110402042.8 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113136601B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 宋安刚;朱地;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元;冯翔宇 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C25B11/077 | 分类号： | C25B11/077;C25B11/087;C25B1/04;C25B1/55;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用，其晶相结构为锐钛矿相结构，(131)晶面的透射电子显微镜高分辨率图谱中，相邻(101)晶面之间的距离均为 |
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| 搜索关键词： | 氧化 半导体 薄膜 制备 方法 与其 光电 催化 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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