[发明专利]湿法刻蚀工艺建模方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110402308.9 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113128042B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 韩瑞津;曾辉 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀工艺建模方法及半导体器件的制造方法，所述湿法刻蚀工艺建模方法包括：建立混酸溶液湿法刻蚀晶圆表面的化学反应中的反应扩散系统的偏微分方程；将布鲁塞尔模型应用到偏微分方程中的化学反应函数中，获得化学反应函数的公式；对化学反应函数的公式进行线性化展开，以确定化学反应出现化学振荡的条件，并计算出化学反应函数的公式中的仿真参数；确定出现凹型球状面微结构时空间扩散项中的扩散系数，以获得湿法刻蚀晶圆表面的化学反应中的反应扩散系统的数学模型。本发明的技术方案能够快速准确地获得混酸溶液的最优配比，使得刻蚀之后的晶圆表面形成形貌最优的凹型球状面微结构，进而使得半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 工艺 建模 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110402308.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种检测泡沫件密度的方法
- 下一篇：目标点的可见区域的确定方法及相关装置
