[发明专利]增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括：一衬底层；一GaN缓冲层；一AlGaN势垒层；一p‑GaN层；一Ga2O3层，长宽与p‑GaN层保持一致；源电极和漏电极，设置在AlGaN势垒层上；栅电极，设置在Ga2O3层上，长宽与Ga2O3层保持一致，将源电极和漏电极间隔开。并公开了其制备方法。本发明的HEMT器件结构中，由于GaN料的自发极化和压电极化效应，GaN和AlGaN层之间会形成2DEG；在零偏压时，p‑GaN层能够耗尽上述沟道中的2DEG，使器件得到增强型性能；氧化镓与p‑GaN在栅下形成p‑n结，与栅极共同调控沟道载流子。本发明的有益效果如下：提高器件的正向阈值电压；提高器件的栅极击穿电压；降低器件的关态漏电流。