[发明专利]一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器有效
| 申请号： | 202110403946.2 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113078479B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张铭;孟宪睿;王如志;王长昊;席宇鹏;李赛楠;张持;严辉;王波 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 半球 石墨 宽带 赫兹 材料 吸收 | ||
【主权项】：
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