[发明专利]一种分段线性忆阻器模型及设计方法在审
| 申请号： | 202110404636.2 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113255274A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 梁燕;卢振洲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种分段线性忆阻器模型及设计方法，本发明考虑到局部有源忆阻器的物理模型具有强非线性，不利于数学分析，而其直流V‑I曲线中存在S型负微分电导特性是产生振荡行为的关键和起源，本发明提出的分段线性忆阻器模型，可以有效地模拟S型局部有源忆阻器物理器件整体无源、局部有源和S型负微分电阻特性，通过准静态测试和动态性能测试确定的模型，具有简单、准确、参数少、分段线性等优点，方便对局部有源忆阻器及其应用进行研究和分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分段 线性 忆阻器 模型 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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