[发明专利]一种解决单晶PERC电池片碱抛EL气流印的方法有效
| 申请号： | 202110405353.X | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130301B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张龙飞;彭彪;顾峰;吕武;谈鹏远;赵园园;何伟伟 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李文渊 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种解决单晶PERC电池片碱抛EL气流印的方法，包括以下步骤：将慢提拉支架下放至低位，使其浸入加满热水的槽体内；将洗涤剂倒入水桶内搅拌均匀并缓慢添加至槽体内；将含有洗涤剂的混合水排出槽体，并用清水对槽体及慢提拉支架进行充分清洗；加入定量双氧水对槽体及慢提拉支架进行充分浸泡；并用清水对槽体及慢提拉支架再次进行充分清洗；将经第一步至第六步清洗后的槽体重新进行配液，验证清洗后慢提拉过程是否消除气流印问题，本发明通过洗涤剂、双氧水两次泡槽再次清洗后，有效改善了槽体及慢提拉支架内的污渍及酸碱状况，气流印能得到彻底解决，从而提高了单晶PERC电池片总体的良率，加速了碱抛工序的引入，进而达到产线降本增效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 perc 电池 片碱抛 el 气流 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
