[发明专利]三维多孔纳米花状NiS2有效

专利信息
申请号: 202110405453.2 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113223869B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 付民;陈伟;朱紫桐;刘青云 申请(专利权)人: 山东科技大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 王志坤
地址: 266590 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于无机纳米材料合成技术及储能材料领域,具体涉及三维多孔纳米花状NiS2/碳布复合材料的制备及应用。通过在实验体系中加入尿素和含氨溶液,既能降低三维花状Ni(OH)2反应温度,还能提高三维花状Ni(OH)2纯度,为了进一步提升三维花状Ni(OH)2的电化学性能,本发明还通过刻蚀方法在三维花状Ni(OH)2片层结构上造孔制备三维多孔纳米花状NiS2材料,既能提高电化学性能,又能避免单纯引入官能团造成的团聚、电化学循环能力差,引入第二相导致结合不紧密,分布不均匀的问题。
搜索关键词: 三维 多孔 纳米 nis base sub
【主权项】:
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