[发明专利]一种Mg2+

摘要

本发明提供了一种Mg2＋/K＋异种离子交替掺杂的BST挠曲电薄膜及其制备方法，属于膜材料制备技术领域；在本发明中，分别制备了Mg2＋掺杂M‑BST溶胶和K＋掺杂K‑BST溶胶，然后制备Mg2＋/K＋异种离子交替掺杂的薄膜，所述Mg2＋/K＋异种离子交替掺杂的薄膜拥有较高的挠曲电性能，在微型传感器等领域有着广泛的应用前景，且设备简单、成本低廉、重复性好、后处理方便。