[发明专利]适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法

摘要

本发明公开了一种适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法，适用于氮化镓器件的技术领域；首先将基于增强型氮化镓高电子迁移率晶体管eGaN HEM的半桥电路中续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通的过程划分为数个阶段；确定半桥电路中点到负载中点的电流方向并判断主开关管和续流管；获取半桥电路及eGaN HEMT的参数信息；求得开关各个阶段的方程组的数值解；通过数值解得到开关过程中每个阶段的持续时间；根据开关过程各阶段的持续时间计算出续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通过程的最优死区；根据计算出的最优死区，结合电路实际情况进行死区优化设置。实施过程简便，精确度较高，并且具有广泛的实用性。