[发明专利]一种检测半导体材料中缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110407842.9 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113394126A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 薛忠营;刘赟;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H |
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| 搜索关键词： | 一种 检测 半导体材料 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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