[发明专利]一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用有效
申请号: | 202110409483.0 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113206243B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 于畅;任伟成;邱介山;王钊 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054 |
代理公司: | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人: | 王树本;徐雪莲 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于碳基材料制备技术领域,一种金属氯化物‑石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用,制备方法包括以下步骤:(1)将石墨粉、金属氯化物和磺酰氯混合置于反应釜中,反应完成后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗后抽滤,滤饼放入干燥箱烘干,得到金属氯化物‑石墨插层化合物;(2)取步骤1制得的金属氯化物‑石墨插层化合物,导电炭黑及聚偏氟乙烯加入到玛瑙研钵中并滴加N‑甲基吡咯烷酮研磨,再将研磨浆料涂覆在铜箔上并放入真空干燥箱中干燥,结束后用冲片机冲成圆片,制得金属氯化物‑石墨插层化合物目标材料电极。本发明制备的金属氯化物‑石墨插层化合物具有插层量大、石墨缺陷密度小等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 氯化物 石墨 化合物 电极 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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