[发明专利]存储器单元、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110409893.5 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113380822A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋国璋;孙宏彰;赖昇志;杨子庆;江昱维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11587 | 分类号： | H01L27/11587;H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 存储器单元包括与字线接触的铁电(FE)材料；以及与源极线和位线接触的氧化物半导体(OS)层，其中FE材料设置在OS层和字线之间。OS层包括：与FE材料相邻的第一区域，第一区域具有第一浓度的半导体元素；与源极线相邻的第二区域，第二区域具有第二浓度的半导体元素；以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域具有第三浓度的半导体元素，第三浓度大于第二浓度并且小于第一浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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