[发明专利]一种电压基准源、芯片及电子设备在审
| 申请号： | 202110410025.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN115220514A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 赵文欣;刘海南;罗家俊;韩郑生;赵发展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电压基准源、芯片及电子设备，电压基准源包括：第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管以及第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；第一PMOS管以及第二PMOS管的源极与电源连接，第一PMOS管以及第二PMOS管的栅极外接偏压；第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏级、第三NMOS管的栅极以及第二NMOS管的栅极连接；第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极以及第三PMOS管的漏极连接；第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极以及第三PMOS管的栅极接地；第一NMOS管的漏极、第一PMOS管的漏极以及第三PMOS管的源极与电压基准源的输出端连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 基准 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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