[发明专利]SiC电子器件中的掺杂激活和欧姆接触形成及SiC电子器件在审
| 申请号： | 202110410326.1 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113539821A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯库纳;P·巴达拉;A·巴西;G·贝洛基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及SiC电子器件中的掺杂激活和欧姆接触形成及SiC电子器件。一种用于制造基于SiC的电子器件的方法，包括：在具有N型的导电性的SiC的实心主体的前侧处注入P型的掺杂剂种类物，因此形成注入区域，该注入区域从前侧开始在实心主体中深度延伸，并且具有与所述前侧共面的顶表面；以及生成朝向注入区域的激光束，以便生成在被包括在1500℃与2600℃之间的温度处的注入区域的加热，以致形成欧姆接触区域，该欧姆接触区域包括在注入区域中的一个或多个富碳层，例如石墨烯和/或石墨层，以及同时地引起P型的掺杂剂种类物的激活。 | ||
| 搜索关键词： | sic 电子器件 中的 掺杂 激活 欧姆 接触 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
