[发明专利]一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置有效
| 申请号： | 202110411549.X | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113122923B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李帅;李函朔;赵建国 | 申请（专利权）人： | 上海天岳半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置，其包括下述步骤：1)组装：将装填原料的坩埚安装籽晶单元后，移至密闭的容纳腔内；2)长晶阶段：控制所述容纳腔内的长晶条件，调节第一冷却水的温度为8‑16℃，流量为18‑54mL/s，即制得所述晶体；其中，所述容纳腔由包括冷却套管的组件形成，所述冷却套管包括第一冷却管和第二冷却管，所述第一冷却管套设在所述第二冷却管内部，并相互配合以形成用于通入第一冷却水的第一夹层，所述第一夹层的厚度沿所述坩埚底部至开口方向线性增加。该晶体生长方法可以实现坩埚内部轴向温度梯度的可控，进而控制晶体的生长质量及生长速率；同时，坩埚内所形成的轴向温度梯度更加稳定，可以进一步保证长晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 晶体 及其 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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