[发明专利]一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构有效
| 申请号： | 202110411674.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113133173B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李鸿;刘星宇;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/02 | 分类号： | H05H1/02;F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 高志光 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构，包含底板、内铁芯、磁极片、N组通道磁屏环和若干个导磁柱；内铁芯和N组通道磁屏环由内至外同心设置，在相邻两个通道磁屏环之间以及第N组通道磁屏环外侧分别沿周向均匀布置有多个导磁柱，形成等效导磁环，内铁芯、N组通道磁屏环和多个导磁柱均连接在底板上，内铁芯和导磁柱周侧面均缠绕有线圈，每组通道磁屏环为顶部开口的双环结构，通道磁屏环与底板垂直，内铁芯的顶部和每个导磁环的顶部连接有磁极片，其中内铁芯和布置在内铁芯顶部的磁极片均为中空结构；每个磁极片上的通孔与对应的导磁柱间隔排布。本发明可有效提升多环霍尔推力器磁路散热能力进而降低磁路温度，提升可靠性及放电稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多环导磁柱 霍尔 推力 磁路 结构 | ||
【主权项】：
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