[发明专利]一种巨量转移芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202110412117.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113517201A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 康孝恒;蔡克林;唐波;杨飞;李瑞;许凯;蒋乐元 | 申请（专利权）人： | 惠州市志金电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李健 |
| 地址： | 516083 广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于芯片技术领域，提供一种巨量转移芯片的制作方法，通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出包括多块单硅片的整片硅片，多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，连接槽将多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块单硅片划分为分开的单硅片。再通过制作具备多个焊盘的整片基板，在多个焊盘中填充焊料以对应固化多块单硅片，让整片硅片与整片基板连接固定构成产品级芯片，从而可有效避免后续工艺中大量多次将单个硅片分开转移到单个基板进行连接，提升整个封装测试的效率，降低封装测试的难度，实现巨量转移的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 巨量 转移 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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