[发明专利]气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备在审
| 申请号： | 202110412183.8 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113161265A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨建姣 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备，其中，气体浓度控制方法，用于半导体工艺中，包括：在半导体工艺开始前，将待控制气体的浓度控制在预设的目标浓度值；在半导体工艺过程中，对待控制气体的实际浓度值进行实时检测，判断实际浓度值是否大于预设的目标浓度值；若是，则根据预设的待控制气体的目标浓度值与补偿气体的目标流量值的第一对应关系，获得与预设的目标浓度值对应的第一目标流量值；控制补偿气体以第一目标流量值进行补偿。本发明提供的气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备，能够提高气体浓度控制的实时性，提高半导体工艺稳定性及安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 浓度 控制 方法 装置 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
