[发明专利]基于单一加速因子的微机电器件寿命预测方法在审
| 申请号： | 202110412612.1 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113074930A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李运甲;窦伟滔;高屹森 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01M13/00 | 分类号： | G01M13/00;G01N17/00;G01N25/00;G06F30/20;G06F119/02;G06F119/14 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单一加速因子的微机电器件寿命预测方法，该方法为了实现在单一加速因子下对MEMS器件的寿命进行准确预测，在加速寿命试验时需考虑温度应力和循环应力对MEMS器件寿命的影响。加速寿命试验是在非正常应力水平的加速环境下，通过短时间内对产品施加高于正常水平的应力(如温度应力、循环应力等)，根据替代性试验得到的试验数据能够预测MEMS器件使用寿命，推导出在温度应力和循环应力环境下加速寿命试验数学模型的相关参数，以及在温度应力和循环应力环境下MEMS器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单一 加速 因子 微机 器件 寿命 预测 方法 | ||
【主权项】：
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