[发明专利]垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110413085.6 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113345990B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈张笑雄;葛永晖;刘春杨;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。将复合衬底的材料设置为包括聚酰亚胺主体及依次层叠在聚酰亚胺主体上的第一Cu散热层与第一Cr欧姆接触层，聚酰亚胺主体的复合衬底具有一定的柔性。使得发光二极管芯片在作为柔性显示器的基本发光单元时，可以具有一定的柔性，以满足柔性显示器的弯曲与便携带的功能，提高发光二极管芯片的适用性。并且在聚酰亚胺主体上层叠第一Cu散热层与第一Cr欧姆接触层，可以便于在聚酰亚胺主体的基础上，连接其他外延材料，并且在转移外延材料的过程中，也可以实现与外延材料的良好接触，并保证在第一Cr欧姆接触层上的外延结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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