[发明专利]一种钴镍双氢氧化物/MXene复合薄膜的室温下原位生长制备方法

摘要

本发明公开了一种钴镍双氢氧化物/MXene(Ti3C2)的室温下原位生长的方法，包括以下步骤：S1：将3～6mL MXene溶液在氩气气氛下冰浴超声，得到浓度为10mg mL‑1稳定的MXene胶体溶液；S2：将步骤S1得到的3～6mL MXene溶液在室温下进行自然沉积，冷冻干燥时间为4小时，冷冻干燥温度为‑40～‑50℃，真空度为10～30Pa；S3：将干燥的MXene膜垂直放入六合水硝酸钴溶液中0.5小时；S4：将配置的二甲基咪唑溶液加入步骤S3中的溶液，室温下静止4小时；S5：将步骤S4得到的复合薄膜用去离子水反复冲洗4～6次，在室温下干燥9小时，将干燥的MXene膜垂直放入配置的硫酸镍溶液中1小时；S6：将步骤S5得到的复合薄膜用去离子水反复冲洗4～6次，在室温下干燥9小时。