[发明专利]一种高迁移率氧化镓场效应晶体管制备装置及制备方法在审
| 申请号： | 202110414325.4 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113224130A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陆小力;马晓华;杨凌;蔡明霜;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率氧化镓场效应晶体管制备装置及制备方法，所述装置包括：电压模块和氧化镓场效应晶体管，其中，所述氧化镓场效应晶体管包括氧化镓衬底和堆叠结构，所述堆叠结构自下而上依次包括沟道层、势垒层和铁电层；所述堆叠结构位于所述氧化镓衬底上方；所述电压模块与所述氧化镓场效应晶体管的铁电层连接，其中，所述电压模块用于向所述铁电层施加负电压，以控制所述氧化镓场效应晶体管产生二维电子气。本发明能够灵活精准地提高氧化镓场效应晶体管产生二维电子气的浓度，使氧化镓场效应晶体管具有高迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 氧化 场效应 晶体管 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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