[发明专利]一种晶硅电池镀膜工艺自动化控制方法有效
申请号: | 202110414860.X | 申请日: | 2021-04-17 |
公开(公告)号: | CN113299792B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;张波;刘东林;杨颋;牛旭霞;常于思;李雪方;郭丽;杜泽霖;李陈阳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66;C23C16/52;C23C16/505;C23C16/34 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池镀膜工艺自动化控制方法,统计每次石墨舟中镀膜完成后硅片的数据参数作为下次石墨舟中镀膜时设置的依据,其中硅片的数据参数包括:本次镀膜前每张硅片的平均比表面积s、本次镀膜后石墨舟中心区域的每张硅片的平均镀膜厚度h1、本次镀膜后石墨舟边缘区域的每张硅片的平均镀膜厚度h2、本次镀膜时间t、本次镀膜时石墨舟不同区域温度c、本次射频电流i、本次气体流量q,本次比值系数a=2s/(h1+h2)。本发明的有益效果是:可最大化电池片镀膜工序成品率,且无需人工参与,大大提高生产效率和判定精准度。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 镀膜 工艺 自动化 控制 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的