[发明专利]一种三维尺度检测晶硅电池缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110414863.3 | 申请日： | 2021-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113271063A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;张波;赵科巍;刘东林;赵军龙;杨颋;常于思;牛旭霞;张云鹏;李雪方;郭丽;杜泽霖;李陈阳 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H02S50/15 | 分类号： | H02S50/15 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种三维尺度检测晶硅电池缺陷的方法，利用电致发光EL检测原理对缺陷电池片进行二维平面检测，确定晶硅电池片缺陷所在测试图片的二维坐标（X,Y）；用300‑1200nm波长测试正常晶硅电池片和带缺陷的晶硅电池片的外量子效率，在同一个坐标下画出正常晶硅电池片和带缺陷的晶硅电池片的波长‑外量子效率图，正常晶硅电池片和带缺陷的晶硅电池片两者的外量子效率在同样波长下差值最大的处对应的波长为晶硅电池片缺陷的光吸收波长。根据公式α=（84.732/λ‑76.417） |
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| 搜索关键词： | 一种 三维 尺度 检测 电池 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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