[发明专利]具有气隙的半导体元件在审
| 申请号： | 202110415829.8 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113555341A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐嘉祥 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的一实施例提供一种具有气隙的半导体元件，用以降低在多个导电特征之间的电容耦合。该半导体元件包括：一基板；一第一导电线，设置于该基板上且具有二侧；一第一突出部，该设置在该第一导电线的其中一侧；一第二导电线，邻近该第一导电线设置且具有二侧；一第二突出部，设置在该第二导电线的其中一侧，并面对该第一突出部；一气隙，设置在该第一突出部与该第二突出部之间；其中该第一突出部与该第二突出部之间的一距离，小于该第一导电线与该第二导电线之间的一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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