[发明专利]一种无屏蔽三栅晶体管器件和基于其的电阻型全摆幅反相器在审

专利信息
申请号: 202110416174.6 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN113130661A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 李东;易佳丽;朱小莉;潘安练 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H03K17/687
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 熊开兰
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种无屏蔽三栅晶体管器件和基于其的电阻型全摆幅反相器,其中无屏蔽三栅晶体管器件从下至上依次包括中心线重合的控制栅、控制栅绝缘层、底栅、底栅绝缘层、沟道层、顶栅绝缘层和顶栅,所述底栅和顶栅的尺寸相同,所述沟道层的尺寸大于底栅和顶栅的尺寸,所述控制栅的尺寸大于底栅的尺寸;所述源极和漏极均设置于沟道层的顶面且分别位于顶栅的左右两侧。电阻型全摆幅反相器包括上述无屏蔽三栅晶体管器件和分压电阻。本发明的晶体管器件在电路运行过程中,顶栅用于调控晶体管器件初始掺杂,进而精确控制其阈值电压位置,从而获得反相器电路的全摆幅属性。
搜索关键词: 一种 屏蔽 晶体管 器件 基于 电阻 型全摆幅反相器
【主权项】:
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