[发明专利]一种互连结构、三维存储器件及互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110416366.7 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN113178428B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 甘程;刘威;陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构、三维存储器件及互连结构的制作方法，该互连结构包括第一连接焊盘、第一接触部及间隔设置的第一走线、第二走线，其中，第一走线、第一连接焊盘及第二走线位于同一走线层，且第一走线与第二走线通过第一连接焊盘连接，第一接触部位于第一连接焊盘的下方，并与第一连接焊盘电连接。本发明将接触部的位置从高压走线/低压走线的中心移至焊盘的中心，从而消除接触部与虚拟走线之间的击穿点，其好处一方面在于不需要继续增大走线之间的距离，从而有利于有效控制芯片尺寸，另一方面可以有效提高三维存储器件的线对线击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 三维 存储 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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