[发明专利]一种碳化硅单晶锭生长设备及方法有效
| 申请号： | 202110416789.9 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113005512B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 叶宏伦;蔡斯元;蔡期开;洪天河;钟其龙;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 北京利宝生科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅单晶锭生长设备及方法，设备包括投料装置、预热处理装置、升华分离装置和晶锭生长装置；所述投料装置、预热处理装置和升华分离装置在竖直方向依次连通，升华分离装置和晶锭生长装置在水平方向连通。本发明可以实现晶锭生长过程中的不间断加料，为制备大尺寸晶锭提供充足的源料准备。将颗粒粉状的源料移动式加热，可以避免源料的石墨陶瓷化，避免生长源枯竭，利于制备大尺寸晶锭。另外，系统回收晶锭生长过程中的碳化硅固定物质和气相物质，经过简单处理即可重复利用，生产源料成本低，此外，本发明没有复杂的机械设计，设备成本低，尤为适用于大尺寸晶锭生长，产品更具竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶锭 生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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