[发明专利]焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法在审
申请号: | 202110416974.8 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113130676A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 郝宏玥;徐应强;牛智川;王国伟;蒋洞微 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/109;H01L27/144;H01L31/18;G01J5/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种焦平面红外探测器芯片,包括:接触层,接触层上设置有第一欧姆接触电极和像元阵列;陷光结构阵列,设置在接触层的下面;其中,像元阵列的每一个像元上设置有第二欧姆接触电极,每一个第二欧姆接触电极上设置有铟柱,铟柱与读出电路连接,像元阵列、接触层和第一欧姆接触电极的掺杂类型相同,接触层和第二欧姆接触电极形成PN结。本发明公开的焦平面红外探测器芯片提高样品的吸收率,吸收谱覆盖可见至短波红外波段,提高了探测器芯片的响应波段。本发明还公开了一种焦平面红外探测器芯片的制备方法和一种焦平面红外探测器。 | ||
搜索关键词: | 平面 红外探测器 芯片 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110416974.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的